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HSCTW60N120G2 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HSCTW60N120G2，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备优秀的电气特性，其连续电流ID可达55A，最大漏源电压VDSS为1200V。导通电阻RDSON仅为40毫欧，有助于减少导通损耗，提高效率。该MOSFET为N沟道类

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MPN
HSCTW60N120G2
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-3L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HSCTW60N120G2
公开内容边界

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