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HSCTW35N65G2V HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HSCTW35N65G2V，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有49A的连续电流能力（ID），并在阻断电压（VDSS）方面能达到650V。其导通电阻（RDSON）仅为33毫欧，适用于要求高效能与高频率操作的应用中

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MPN: HSCTW35N65G2V
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247-3
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HSCTW35N65G2V

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