PUBLIC PAGE SUMMARY

HSCT3160KLGC11 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HSCT3160KLGC11，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大工作电流ID为18A，可承受的最大漏源电压VDSS为1200V。导通电阻RDSON低至160毫欧，适用于需要高效能转换的应用中，能够在高达20V的栅

打开完整页面 商品详情数量阶梯核价
MPN
HSCT3160KLGC11
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HSCT3160KLGC11
公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed