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HSCT20N170 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HSCT20N170，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管具有卓越的性能参数，最大漏极电流ID为72A，能够支持高负载应用。其漏源电压VDSS高达1700V，适用于需要承受高压的工作环境。导通电阻RDON仅为45mΩ，有助于降低功耗并提高效

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MPN
HSCT20N170
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-3L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HSCT20N170
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