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HSCT20N120AG HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HSCT20N120AG，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)支持最高18A的连续漏极电流与1200V的漏源电压，具有160毫欧姆的低导通电阻，能够有效降低能耗并提升效率。其栅源电压为20V，适用于需要在高压环境下实现高效能

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MPN
HSCT20N120AG
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-3L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HSCT20N120AG
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