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HSCT20N120 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HSCT20N120，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有17A的额定电流（ID），适合用于要求不高但需稳定的电流应用中。它拥有1200V的最大漏源电压（VDSS），能够在高电压条件下可靠运作。该MOSFET的导通电阻（RDS

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MPN: HSCT20N120
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HSCT20N120

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