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HSCT1000N170 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HSCT1000N170,HXY MOSFET(华轩阳电子),碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET),TO-247封装,询盘确认库存,该款碳化硅场效应管(MOSFET)属于N沟道类型,设计有5A(ID/A)的最大导通电流能力,并且能够在高达1700V(VDSS/V)的电压环境下正常运作。其导通电阻(RDSON/mR)为1000毫欧,适合应用

MPN
HSCT1000N170
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HSCT1000N170
公开内容边界

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