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HSCT070W120G34 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HSCT070W120G34，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，其最大导通电流（ID）为32A，能够承受的最大漏源电压（VDSS）为1200V。在导通状态下的典型导通电阻（RDSON）为75毫欧（mΩ），适用于需

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MPN: HSCT070W120G34
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247-4L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HSCT070W120G34

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