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HSCT040W120G3 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HSCT040W120G3，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备1200V的高耐压能力（VDSS），适用于需要处理较大电压差的应用场合。其最大连续漏极电流为55A（ID），能够满足中等功率需求。该MOSFET的导通电阻为

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MPN: HSCT040W120G3
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247-3L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HSCT040W120G3

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