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HSBA30N20 HUASHUO(华朔) 现货与清单询价
HSBA30N20，HUASHUO(华朔)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PRPAK5x6-8L封装，询盘确认库存，专有新型沟槽技术 RDS(ON)，典型值 = 43mΩ（VGS = 10V 时） 低栅极电荷，最大限度降低开关损耗 快速恢复体二极管
- MPN
- HSBA30N20
- 品牌/制造商
- HUASHUO(华朔)
- 封装
- PRPAK5x6-8L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/HSBA30N20