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HS2M0016120D HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HS2M0016120D，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）拥有115A的连续漏极电流（ID），1200V的断态漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）低至16毫欧，支持15V的栅源电压（VGS），采用N沟道设计。其卓越的电气