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HRT60N10D HRmicro(华瑞微) 现货与清单询价

HRT60N10D，HRmicro(华瑞微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，N沟道功率MOSFET采用先进的沟槽技术设计。该器件具有出色的栅极电荷和导通电阻，可降低开关和传导损耗。因此，它非常适合用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。