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HNVHL160N120SC1 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HNVHL160N120SC1，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有18A的连续漏极电流（ID/A），能够承受高达1200V的漏源击穿电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON/mR）仅为160毫欧姆，在20V的栅源电压（VG

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MPN: HNVHL160N120SC1
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247-3
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HNVHL160N120SC1

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