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HNVHL1000N170M1 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HNVHL1000N170M1，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备5A的连续漏极电流能力和1700V的高漏源电压耐受性，导通电阻为1000毫欧姆。其栅源电压工作范围为20V，适用于需要在高压条件下工作的高效能转换系统。