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HNVH4L160N120SC1 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HNVH4L160N120SC1，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，该款碳化硅场效应管（MOSFET）具有N沟道结构，其设计允许最大连续 drain 电流（ID）为 19A，并且能够承受高达 1200V 的漏源电压（VDSS）。该器件的导通电阻（RDSON）为

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MPN: HNVH4L160N120SC1
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247-4L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HNVH4L160N120SC1

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