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HNVH4L095N065SC1 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HNVH4L095N065SC1，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29A的连续漏极电流能力与650V的漏源电压耐受水平，导通电阻为60mΩ，保证了较低的功率损耗。其栅源电压工作范围达到15V，适合于需要高效能和稳定性

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MPN
HNVH4L095N065SC1
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HNVH4L095N065SC1
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