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HNVH4L015N065SC1 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HNVH4L015N065SC1，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有120A的电流处理能力（ID/A），并能够承受高达650V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为15毫欧，有助于减少导通状态下的功率

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MPN: HNVH4L015N065SC1
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247-4L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HNVH4L015N065SC1

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