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HNTHL080N120SC1A HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HNTHL080N120SC1A，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备N沟道结构，最大导通电流（ID）可达36A，在断态下能承受最高1200V（VDSS）的电压。其导通电阻（RDSON）低至80毫欧，有助于减少导通状态下的能量损

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MPN: HNTHL080N120SC1A
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247-3
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HNTHL080N120SC1A

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