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HNDSH20120CDN HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HNDSH20120CDN，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-247-3L封装，询盘确认库存，这款碳化硅二极管拥有出色的电气性能，正向平均电流IF为20A，反向耐压VR高达1200V，适合在高电压应用中提供可靠保护。其正向电压降VF仅为1.5V，有助于减少能量损耗。该器件的反向漏电流IR控制在250μA以下，保证了低功耗运行

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MPN
HNDSH20120CDN
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-3L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HNDSH20120CDN
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