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HNDSH20120C HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HNDSH20120C，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-247-2L封装，询盘确认库存，这款碳化硅二极管设计有20安培的正向电流容量（IF/A），并能承受1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）仅为1.5伏特，在反向测试中，漏电流（IR/uA）不超过200微安。此外，该二极管能够承受高达130安培的瞬态正