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HMUN2233T1G HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HMUN2233T1G，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SOT-23封装，询盘确认库存，这款NPN型数字晶体管拥有50V的集射极击穿电压（Vceo），支持最大100mA的集电极电流（Ic），功率耗散能力为200mW。它适用于需要精确控制和稳定性能的各种电子电路，如信号放大、开关控制等。该晶体管在处理低至中等功率需

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MPN
HMUN2233T1G
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HMUN2233T1G
公开内容边界

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