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HMMDT55517F HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HMMDT55517F，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，SOT-363封装，询盘确认库存，该NPN+NPN复合结构三极管（BJT）拥有100-200的高电流增益(HFE)，适用于放大及开关电路。其集电极-发射极最大电压(VCEO)可达160V，确保了在高压环境下的稳定运行；截止频率(FT)为100MHz，适

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MPN
HMMDT55517F
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-363
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HMMDT55517F
公开内容边界

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