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HMMDT39467F HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HMMDT39467F，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-363封装，询盘确认库存，这款BJT三极管采用NPN+PNP组合设计，具有100至300的高电流增益比（HFE），适用于信号放大及开关控制。其集电极-发射极间最大电压（VCEO）为40V，保证了在较高电压下的稳定工作性能；特征频率（FT）达到2

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MPN
HMMDT39467F
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-363
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HMMDT39467F
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