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HIMZA65R072M1HXKSA1 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HIMZA65R072M1HXKSA1，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29A的连续电流（ID）处理能力，并且能够在高达650V（VDSS）的电压环境下可靠工作。其导通电阻（RDSON）仅为60毫欧，有助于降低能耗。