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HIMZA65R030M1HXKSA1 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HIMZA65R030M1HXKSA1，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有97A的最大电流承载能力（ID/A），以及650V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为25毫欧（mΩ），能够在