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HIMZA65R027M1H HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HIMZA65R027M1H，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有N沟道结构，其最大导通电流（ID/A）可达120A，在断态下的最大电压（VDSS/V）为650V。该器件展现出优异的导电性能，导通状态下的电阻（RDSON/mΩ

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MPN
HIMZA65R027M1H
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HIMZA65R027M1H
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