PUBLIC PAGE SUMMARY

HIMZ120R140M1HXKSA1 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HIMZ120R140M1HXKSA1，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备19A的最大漏极电流和高达1200V的漏源电压，适用于需要高电压处理能力的应用场景。其导通电阻为160mΩ，有助于平衡性能与功耗。栅源电压范围达

打开完整页面 商品详情数量阶梯核价
MPN
HIMZ120R140M1HXKSA1
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HIMZ120R140M1HXKSA1
公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed