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HIMZ120R030M1HXKSA1 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HIMZ120R030M1HXKSA1，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有63A的连续电流ID/A，最高承受电压VDSS/V为1200V，并拥有32毫欧的导通电阻RDSON/mΩ，栅源电压VGS/V为±15V。凭借其卓

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MPN
HIMZ120R030M1HXKSA1
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HIMZ120R030M1HXKSA1
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