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HIMW65R048M1H HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HIMW65R048M1H，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备稳健的电气性能，连续导通电流ID可达49A，适用于多种高电流密度的设计。其最大漏源击穿电压VDSS为650V，确保了在高压应用中的可靠性。该器件拥有较低的导通

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MPN
HIMW65R048M1H
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-3
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HIMW65R048M1H
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