PUBLIC PAGE SUMMARY

HIDH08G65C6 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HIDH08G65C6,HXY MOSFET(华轩阳电子),二极管 / 碳化硅二极管,TO-220H-2L封装,询盘确认库存,这款碳化硅二极管的正向电流额定值为8A(IF/A),可承受的最大反向电压为650V(VR/V)。其正向电压降仅为1.3V(VF/V),有助于减少能量损耗。在反向测试条件下,漏电流不超过50μA(IR/uA)。此外,该二极管能够处理高达

MPN
HIDH08G65C6
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220H-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HIDH08G65C6
公开内容边界

本页提供公开页面摘要,便于快速读取主要字段;需要完整说明和后续操作,请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed