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HGD032N04A CRMICRO(华润微) 现货与清单询价

HGD032N04A，CRMICRO(华润微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，HGD032N04A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用高密度沟槽技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。此器件适用于作为负载开关和脉冲宽度调制（PWM）应用。