PUBLIC PAGE SUMMARY

HES1DHE3AI HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HES1DHE3AI，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 > 快恢复/高效率二极管，SMA封装，询盘确认库存，这款快恢复二极管设计精良，具有高效的性能表现。其最大平均正向电流（IF）为1A，能够稳定处理200V的最大反向电压（VR）。在正向导通时，电压降（VF）低至0.95V，有效降低能耗。反向漏电流（IR）被限制在5μA，确保了在待机模式下的低功耗

打开完整页面 商品详情数量阶梯核价
MPN
HES1DHE3AI
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SMA
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HES1DHE3AI
公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed