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HES1DE35AT HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HES1DE35AT，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，SMA封装，询盘确认库存，这款快恢复二极管具有高效率特性，其最大平均正向电流（IF）为1安培，能够承受最高反向电压（VR）达到200伏特。在正向导通状态下的电压降（VF）仅为0.95伏特，这有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR）控制在微安级别，具体为5微安，

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MPN
HES1DE35AT
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SMA
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HES1DE35AT
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