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HCMS120N080WK HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HCMS120N080WK，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有良好的电气特性，最大漏极电流ID可达32A，支持1200V的漏源电压VDSS，适合高压环境下的应用。其导通电阻RDON为75mΩ，有助于降低功耗并提高效率。