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HCDDFN2-T3.3B HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HCDDFN2-T3.3B，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，DFN-1006-2L封装，询盘确认库存，该器件为单路双向ESD静电抑制二极管，具备3.3V最大连续工作电压(VRWM)，能承受9A峰值瞬态电流(IPP)冲击，兼具15皮法低结电容(CJ)，专为高密度电路设计，旨在实现优异的信号透明

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MPN: HCDDFN2-T3.3B
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN-1006-2L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HCDDFN2-T3.3B

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