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HC3M0120090D HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC3M0120090D，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）是一款N沟道器件，具有22A的连续电流承载能力（ID），最大漏源电压（VDSS）可达900V，导通电阻（RDON）仅为120毫欧。这些特性使得它非常适合用于要求高效率与高频率

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MPN: HC3M0120090D
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HC3M0120090D

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