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HC3M0075120J HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC3M0075120J，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7L封装，询盘确认库存，此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）专为高性能应用设计，具有30A的连续漏极电流(ID)能力和1200V的漏源击穿电压(VDSS)，确保在高压环境下表现出色。其低导通电阻(RDON)仅为75毫欧姆，

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MPN
HC3M0075120J
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-263-7L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HC3M0075120J
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