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HC3M0060065D HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC3M0060065D，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为处理650V高电压、大电流应用设计。具备29A连续电流承载能力，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻和高效散热性能，是现代电子

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MPN
HC3M0060065D
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-3L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HC3M0060065D
公开内容边界

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