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HC3M0030065K HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC3M0030065K，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款碳化硅MOS器件，专为高效率电源转换设计，具备650V耐压能力，确保在高压环境下稳定工作。其内阻低至最大30毫欧，有助于减少能量损耗，提升系统效率。支持高达97安培的电流通过能力，非常适合需要大电流

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MPN
HC3M0030065K
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HC3M0030065K
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