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HC3M0021120D HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC3M0021120D，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID为81A，具备1200伏特的最大漏源电压（VDSS），能够在高压环境下稳定工作。其N沟道设计允许电流从漏极流向源极，适用于需要高效能转换的应用。此MOSFET的导通

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MPN: HC3M0021120D
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HC3M0021120D

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