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HC3M001K170J HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC3M001K170J，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7L封装，询盘确认库存，这款碳化硅MOS器件专为极端电压环境设计，具备超高的1700V耐压，确保在高电压系统中的稳定性和安全性。虽然内阻较高，最大为1000毫欧，但依然适合于那些对电流要求不高而需承受极端电压挑战的精密应用。提

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MPN
HC3M001K170J
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-263-7L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HC3M001K170J
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