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HC3M0016120D HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC3M0016120D，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3L封装，询盘确认库存，该款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为1200V高压、大电流应用设计。额定连续电流高达115A，特别适应于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统，具有卓越的高温稳定性、低导通损耗

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MPN
HC3M0016120D
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-3L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HC3M0016120D
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