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HC3M00160120D HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC3M00160120D，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，这款碳化硅MOS管专为高电压场景定制，耐压等级1200V，保障了在严苛条件下的稳定运作。尽管内阻较高，最大为160毫欧，但仍适合于需要高电压支撑而对电流敏感度较低的应用。提供17安培的电流能力，适用于特定高

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MPN
HC3M00160120D
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HC3M00160120D
公开内容边界

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