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HC3M0015120K HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC3M0015120K，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款碳化硅MOS器件专为高电压应用而生，耐压达1200V，提供卓越的电气隔离性能。其内阻仅15毫欧最大值，确保了极低的导通损耗，提升了系统整体效率。117安培的大电流承载能力，为高功率密度设计提供了坚实

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MPN
HC3M0015120K
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HC3M0015120K
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