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HC2M0650170D HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC2M0650170D，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）设计有7A的最大连续电流（ID），并且能够承受高达1700V的漏源电压（VDSS）。尽管其导通电阻（RDON）为650毫欧，较高的耐压特性使其成为高压应用的理想选择。适

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MPN: HC2M0650170D
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HC2M0650170D

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