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HC2M0040065K HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC2M0040065K，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，ID:49A是一款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)，具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和45毫欧姆的导通电阻(RDON)，在提高能效方面表现出色。其栅极-源极电压(VGS)范围为-4V至+18V

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MPN
HC2M0040065K
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HC2M0040065K
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