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HC1M60120D HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC1M60120D，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有40A的连续电流承载能力（ID），最大漏源电压（VDSS）可达1200伏特，适用于需要高电压处理能力和良好热稳定性的电路设计。其导通电阻（RDON）仅为60毫欧姆，在导通状态

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MPN: HC1M60120D
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HC1M60120D

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