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HC1M45065J HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC1M45065J，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有49A的连续排水电流（ID），并且能够承受最高650V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为45毫欧，这意味着在导通状态下电力损耗极低。该器件适合应