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HC1M40120J HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与BOM询价

HC1M40120J，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7L封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET）具有68A的最大电流承载能力（ID），能够承受高达1200V的漏源电压（VDSS），展现出了卓越的耐压性能。其导通电阻（RDSON）仅为40毫欧，意味着在导通状态下能有效减

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MPN
HC1M40120J
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-263-7L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HC1M40120J
公开引用边界

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