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HC1M40120D HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC1M40120D，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，这款碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID:68A，具有1200V的VDSS（漏源电压），适用于高压环境下的电路设计。作为一款N沟道MOSFET，其RDON（导通电阻）仅为40毫欧姆，这意味着在导通状态下的电力

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MPN: HC1M40120D
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HC1M40120D

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